シリコンサージアブソーバVRDは、立ち上がりの急峻なサージ電圧を
吸収する為に開発されたサージアブソーバです。
詳細は
こちら
ご注意
Semitecサンプルショップは、より多くのお客様に私たちの製品をお試しいただくことを目的とし、
以下の通り販売数量の上限を設けさせて頂いております。
ご購入にあたりご不便をお掛けする事もあるかと存じますが、何卒ご理解ご協力のほど、宜しくお願い致します。
◆リール品(CRD-S/VRD/KT): 50セット(10個x50)
◆その他:10セット(10個x10)
ブレークダウン電圧:12V (10.8~13.2V)
定格電圧:9.72V
過度許容電力:300W(10/1000μs)
ブレークダウン電圧:15V (13.5~16.5V)
定格電圧:12.1V
過度許容電力:300W(10/1000μs)
ブレークダウン電圧:18V (16.2~19.8V)
定格電圧:14.5V
過度許容電力:300W(10/1000μs)
ブレークダウン電圧:22V (19.8~24.2V)
定格電圧:17.8V
過度許容電力:300W(10/1000μs)
ブレークダウン電圧:27V (24.3~29.7V)
定格電圧:21.8V
過度許容電力:300W(10/1000μs)
ブレークダウン電圧:33V (29.7~36.3V)
定格電圧:26.8V
過度許容電力:300W(10/1000μs)
ブレークダウン電圧:39V (35.1~42.9V)
定格電圧:31.6V
過度許容電力:300W(10/1000μs)
ブレークダウン電圧:47V (42.3~51.7V)
定格電圧:38.1V
過度許容電力:300W(10/1000μs)